近日，2025年“中國芯”集成電路產(chǎn)業(yè)促進大會暨第二十屆“中國芯”優(yōu)秀產(chǎn)品征集結果發(fā)布儀式舉辦。會上，西安紫光國芯半導體股份有限公司(簡稱“紫光國芯”)“適配大模型應用的四層3D堆疊DRAM芯片(SeDRAM-P300)”產(chǎn)品憑借突出的技術創(chuàng)新能力，榮獲本屆“中國芯”年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品獎。

　　據(jù)了解，“中國芯”集成電路產(chǎn)業(yè)促進大會是國內(nèi)集成電路領域最具影響力和權威性的行業(yè)會議之一。此次“中國芯”活動的所有獎項中，“年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品”獎規(guī)格最高，旨在授予本年度在技術創(chuàng)新、市場占有率、填補國內(nèi)技術或市場空白，國際競爭力及產(chǎn)業(yè)貢獻等方面均有重大突破的單款芯片產(chǎn)品。

　　本屆“中國芯”優(yōu)秀產(chǎn)品共征集到來自303家芯片企業(yè)的410款芯片產(chǎn)品，基本覆蓋整個集成電路領域。其中，“年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品”獎僅有三款芯片入選，紫光國芯憑借其產(chǎn)品實力獲此殊榮。

　　(記者 黃曉巍)